Shenzhen Best LED Opto-electronic Co., Ltd ofereix tipus de LED amb longitud d’ona diferent des de 365nm fins a 1550nm. Per a LEDs d’infrarojos, la longitud d’ona pot ser: 660nm 680nm 690nm 700nm 710nm 720nm 730nm 740nm 750nm 760nm 770nm 780nm 800nm ​​810nm 820nm 830nm 850nm 8n Per als LED UV, la longitud d'ona pot ser de 365nm 370nm 380nm 390nm 400nm 410nm 420nm 430nm, etc. També hi ha altres longituds d'ona disponibles fabricades per xips infrarojos de material AlGaAs / AlGaAs. Aquests LED tenen un rendiment estable i una llarga vida útil. El LED SMD 3528 750nmis és un díode emissor d’infrarojos d’alta eficiència en tecnologia GaAlAs de la tecnologia GaAs, emmotllat en paquets de plàstic de color blanc clar i transparent. En comparació amb els estàndards GaAs de la tecnologia GaAs, aquests emissors aconsegueixen més de Millora de la potència radiofònica al 100% a una longitud d'ona similar. Les tensions directes a baix corrent i a alt corrent d’impuls corresponen aproximadament als valors baixos de la tecnologia estàndard. Per tant, aquests emissors són ideals per substituir els emissors estàndards d’alt rendiment. La tolerància a la longitud d’ona de l’infraroig del punt vermell és de ± 10 nm. Parell IR

- Paràmetres de dimensió -

Aquestes carcasses LED SMD també estan disponibles per a LEDs IR, LED UV, LED SMD blau, LED SMD vermell, etc.

- Emetent color -

- Paràmetres elèctrics -

Valoracions màximes absolutes a Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Característiques òptiques i elèctriques ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	2.2		2.7	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3.6		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	50		70	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	750	755	760	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.6		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- LED de 750 nm -

- Connexió Golden Wire -

* Per tal de mantenir una llarga vida útil de tots els LED, la fàbrica BestLED utilitza filferro d’or pur pur per a la connexió del circuit interior

- Embalatge -

* L’envasem amb embalatge al buit després de gravar-lo com a bobina

-Aplicació-

- LED IR relacionat -

- Ús de LED de 750 nm -